型號: | MRF21180S |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN |
文件頁數: | 7/12頁 |
文件大?。?/td> | 356K |
代理商: | MRF21180S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF21180S | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF275G | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF282SR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MRF212 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
MRF221 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
MRF224 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
MRF227 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39 |
MRF234 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |