欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: MRF21180S
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN
文件頁數: 3/12頁
文件大小: 356K
代理商: MRF21180S
11
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D–04
ISSUE C
NI–1230
MRF21180
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.615
1.625
41.02
41.28
B
0.395
0.405
10.03
10.29
C
0.150
0.200
3.81
5.08
D
0.455
0.465
11.56
11.81
E
0.062
0.066
1.57
1.68
F
0.004
0.007
0.10
0.18
G
1.400 BSC
35.56 BSC
H
0.079
0.089
2.01
2.26
K
0.117
0.137
2.97
3.48
L
0.540 BSC
13.72 BSC
N
1.218
1.242
30.94
31.55
Q
0.120
0.130
3.05
3.30
R
0.355
0.365
9.01
9.27
A
G
L
D
K
4X
Q
2X
12
4
3
M
1.219
1.241
30.96
31.52
S
0.365
0.375
9.27
9.53
aaa
0.013 REF
0.33 REF
bbb
0.010 REF
0.25 REF
ccc
0.020 REF
0.51 REF
SEATING
PLANE
N
C
E
M
M
A
M
aaa
B M
T
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B M
T
4X
A
T
M
A
M
bbb
B M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B M
T
(LID)
PIN 5
M
A
M
bbb
B M
T
4
D
2
3
1
L
Z
4X
CASE 375E–03
ISSUE C
K
4X
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.325
1.335
33.66
33.91
B
0.395
0.405
10.03
10.29
C
0.150
0.200
3.81
5.08
D
0.455
0.465
11.56
11.81
E
0.062
0.066
1.57
1.68
F
0.004
0.007
0.10
0.18
H
0.079
0.089
2.01
2.26
K
0.117
0.137
2.97
3.48
L
0.540 BSC
13.72 BSC
M
1.219
1.241
30.96
31.52
N
1.218
1.242
30.94
31.55
aaa
0.013 REF
0.33 REF
R
0.355
0.365
9.01
9.27
S
0.365
0.375
9.27
9.53
4
H
F
M
A
M
ccc
B M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B M
T
E
M
C
SEATING
PLANE
N
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
M
A
M
aaa
B M
T
B
(FLANGE)
4X
A
(FLANGE)
T
M
A
M
bbb
B M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B M
T
(LID)
PIN 5
Z
0
0.040
0
1.02
bbb
0.010 REF
0.25 REF
ccc
0.020 REF
0.51 REF
NI–1230S
MRF21180S
相關PDF資料
PDF描述
MRF21180S 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF275G 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282SR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282ZR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF284LR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
MRF212 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF221 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF224 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF227 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39
MRF234 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
主站蜘蛛池模板: 班戈县| 永宁县| 定日县| 噶尔县| 韶山市| 多伦县| 奈曼旗| 南华县| 泸溪县| 东宁县| 察雅县| 应用必备| 高雄市| 托克逊县| 镇雄县| 林口县| 英吉沙县| 辽宁省| 江西省| 凌海市| 青海省| 泽州县| 江都市| 光泽县| 宾阳县| 万源市| 长白| 历史| 叶城县| 乌兰县| 晴隆县| 花垣县| 南平市| 大宁县| 英吉沙县| 巫山县| 东辽县| 浪卡子县| 新宁县| 拜城县| 固始县|