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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2515 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PBSS2515 |
2001 Nov 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN double transistor
PBSS2515VS
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per transistor unless otherwise specified
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 15 V; I
E
= 0
V
CB
= 15 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 2 V; I
C
= 10 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 500 mA; note 1
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 200 mA; I
B
= 10 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1MHz
200
150
90
250
300
420
4.4
100
50
100
25
150
250
<500
1.1
0.9
6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
pF
R
CEsat
V
BEsat
V
BE
f
T
C
c
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
collector capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
| PBSS3515F | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
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| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PBSS2515E,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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