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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2515 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN雙晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PBSS2515 |
2001 Nov 07
5
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN double transistor
PBSS2515VS
handbook, halfpage
0
10
1
400
200
MLD643
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD645
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
10
1
MLD647
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD646
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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