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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2515 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PBSS2515 |
2001 Nov 07
6
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN double transistor
PBSS2515VS
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MLD648
10
1
1
10
IC (mA)
RCEsat
(
)
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.6
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(6)
(8)
IC
(mA)
VCE (V)
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD644
(9)
(10)
(7)
(5)
Fig.7
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 4.6 mA.
(2) I
B
= 4.14 mA.
(3) I
B
= 3.68 mA.
(4) I
B
= 3.22 mA.
(5) I
B
= 2.76 mA.
(6) I
B
= 2.3 mA.
(7) I
B
= 1.84 mA.
(8) I
B
= 1.38 mA.
(9) I
B
= 0.92 mA.
(10) I
B
= 0.46 mA.
T
amb
= 25
°
C.
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