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參數資料
| 型號： | PBSS2515YPN |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN/PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | PBSS2515YPN |
2001 Sep 21
4
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
handbook, halfpage
0
10
1
400
200
MLD671
1
10
IC (mA)
hFE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD673
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
1
10
1
MLD675
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MLD674
1
10
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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