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參數(shù)資料
| 型號： | PBSS2515YPN |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN/PNP型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2515YPN |
2001 Sep 21
6
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-10-23
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.33
0.23
0.2
0.1
1.7
1.5
0.95
0.75
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.5
0.3
SOT490
SC-89
bp
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
0.8
0.6
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT490
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2540M | 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS2515 | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
| PBSS2540F | 40 V low V NPN transistor |
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| PBSS3515M | 15 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PBSS2515YPN,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515YPN115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR ARRAY NPN & PNP 15V 5 |
| PBSS2540E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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