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參數資料
| 型號： | PBSS2515YPN |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| 中文描述： | 15伏低飽和壓降NPN/PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2515YPN |
2001 Sep 21
5
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(6)
(8)
IC
(mA)
VCE (V)
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD672
(9)
(10)
(7)
(5)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 4.60 nA.
(2) I
B
= 4.14 nA.
(3) I
B
= 3.68 nA.
(4) I
B
= 3.22 nA.
(5) I
B
= 2.76 nA.
(6) I
B
= 2.30 nA.
(7) I
B
= 1.84 nA.
(8) I
B
= 1.38 nA.
(9) I
B
= 0.92 nA.
(10) I
B
= 0.46 nA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MLD676
10
1
1
10
IC (mA)
RCEsat
(
)
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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