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參數資料
型號: PBSS2540F
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 40 V low V NPN transistor
中文描述: 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數: 2/8頁
文件大小: 63K
代理商: PBSS2540F
2001 Oct 31
2
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2540F
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage
High current capability
Improved thermal behaviour due to flat leads
Enhanced performance over SOT23 general purpose
transistors.
APPLICATIONS
General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video
cameras, hand-held devices).
DESCRIPTION
NPN low V
CEsat
transistor in a SC-89 (SOT490) plastic
package.
PNP complement: PBSS3540F.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS2540F
2C
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM410
1
2
3
1
Top view
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
40
500
1
<500
V
mA
A
m
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
40
40
6
500
1
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
PBSS3515F KPT 55C 55#20 SKT RECP
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參數描述
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