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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2540F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 40 V low V NPN transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS2540F |
2001 Oct 31
4
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2540F
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
400
800
200
600
1000
MHC082
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
VBE
(mV)
200
400
600
800
1000
MHC085
10
1
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
3
10
2
10
10
1
MHC086
1
10
VCEsat
(mV)
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
200
400
600
800
1000
MHC084
10
1
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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