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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS2540F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 40 V low V NPN transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | PBSS2540F |
2001 Oct 31
3
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2540F
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient in free air
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
100
50
250
TYP.
380
450
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
= 30 V; I
E
= 0
V
CB
= 30 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 2 V; I
C
= 10 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 500 mA; note 1
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
I
C
= 200 mA; I
B
= 10 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 100 mA; note 1
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
50
100
50
100
200
250
<500
1.2
1.1
6
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
pF
R
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
C
c
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
collector capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS3515F | KPT 55C 55#20 SKT RECP |
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| PBSS3540F | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SA | 50 V low VCEsat PNP transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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