- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382391 > PHB38N02LT (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS logic level FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHB38N02LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 44.7 A, 20 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 11/13頁 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | PHB38N02LT |
Philips Semiconductors
PHB/PHD38N02LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 30 June 2003
11 of 13
9397 750 11614
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20030630
Description
Product data (9397 750 11614)
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB42N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB45N03LTA | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB60N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB38N02LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB3N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB3N4XF | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:PISTOL HANDLE, BLACK, EXTENDED, Accessory Type:Pistol Handle, For Use With:R9 Se |
| PHB3N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB3N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。