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參數資料
| 型號： | PHD22NQ20T-01 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS？？標準水平場效應管 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PHD22NQ20T-01 |
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
7 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
03ap91
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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