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參數資料
| 型號： | PHD22NQ20T-01 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS？？標準水平場效應管 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PHD22NQ20T-01 |
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
9 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7.
Package outline
Fig 14. SOT428 (D-PAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
TO-252
SC-63
99-09-13
01-12-11
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT428
E
b2
E1
w
A
M
b
c
b1
L1
L
1
3
2
D
D1
HE
L2
Note
1. Measured from heatsink back to lead.
e1
e
A
A2
A
A1
y
seating plane
mounting
base
A1
(1)
D
b
E1
E
HE
w
y
max.
A2
b2
b1
c
D1
min.
e
e1
L1
min.
L2
L
A
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.2
0.2
mm
2.38
2.22
0.65
0.45
0.93
0.73
0.89
0.71
1.1
0.9
5.46
5.26
0.4
0.2
6.22
5.98
4.81
4.45
2.285
4.57
10.4
9.6
0.5
0.9
0.5
6.73
6.47
4.0
2.95
2.55
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD24N03 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD3055E | PowerMOS transistor |
| PHD3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
| PHD3N20E | PowerMOS transistor |
| PHD3N20L | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD23NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T,118 | 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD24N03 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD24N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD27NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
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