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參數(shù)資料
| 型號： | PHT11N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 4.9 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PHT11N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 9 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
sp
); conditions: I
D
= 3.6 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT6N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT6N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHU2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT11N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | SOT-223 |
| PHT-120-01-L-D | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 PRESS FIT SOCKET ASSEMBLY - Bulk |
| PHT-120-01-L-S | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 PRESS FIT SOCKET ASSEMBLY - Bulk |
| PHT-120-01-S-D | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 PRESS FIT SOCKET ASSEMBLY - Bulk |
| PHT-120-02-L-D | 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 PRESS FIT SOCKET ASSEMBLY - Bulk |
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