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1N5417GSIT

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1N5417GSIT 技術參數
  • 1N5417C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):4.5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:250pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5417 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5416US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5416 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B,軸向 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5415US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5419E3 1N5419US 1N5420 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35)
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