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1N5418-TR..

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制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
AVALANCHE DIODE 3A 400V SOD-64

1N5418-TR.. 技術參數

1N5418TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5418-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 1N5418C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:4.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:165pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5418 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5417US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35)