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APT33GF120HR

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型號
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封裝
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價格
說明
操作

APT33GF120HR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT33GF120HR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13412
APT
直插/貼片
2024+
-
全國最底價現貨

APT33GF120HR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT33GF120HR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT33GF120HR
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
APT
價格優勢
17+
-
原裝正品。優勢供應

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您是不是要找： APT33GF120LRDQ2G APT33N90JCCU2 APT33N90JCU2 APT33N90JCU3 APT34F100B2 APT34F100L APT34F60B APT34F60BG APT34M120J

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs

APT33GF120HR 技術參數

APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:52A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 開關能量:2.8mJ（開）， 2.8mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/210ns 測試條件:- 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關能量:1.315μJ（開），1.515μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT32M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:303nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9326pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT32F120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT3216ZGCK 功能描述:Green 525nm LED Indication - Discrete 3.3V 1206 (3216 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效顏色:綠透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:350mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，2.00mm x 1.60mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3.3V 電流 - 測試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:525nm 波長 - 峰值:515nm 特性:- 封裝/外殼:1206（3216 公制）供應商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:3.20mm 長 x 1.60mm 寬高度（最大值）:0.75mm 標準包裝:1 APT34M60B APT34N80B2C3G APT34N80LC3G APT35DL120HJ APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B