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APTM50HM38FG

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  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM50HM38FG
    APTM50HM38FG

    APTM50HM38FG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTM50HM38FG
    APTM50HM38FG

    APTM50HM38FG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APTM50HM38FG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50HM38FG 技術參數
  • APTM50HM35FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):99A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 49.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50H15FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM50H14FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):26A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):168 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3259pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50H10FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):37A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 18.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DUM38TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG
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