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BSS17

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  • 說明
  • 操作
  • BSS17
    BSS17

    BSS17

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9331

  • PH

  • CAN

  • 12+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • BSS17
    BSS17

    BSS17

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • DSI

  • 05+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • BSS17
    BSS17

    BSS17

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • PH

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BSS17 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 75V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39
BSS17 技術參數
  • BSS169L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):68pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS169L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):68pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS169H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):68pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS169H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):68pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS169 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 7V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):68pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1
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