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BSS192PL6327HTSA1

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  • BSS192PL6327HTSA1
    BSS192PL6327HTSA1

    BSS192PL6327HTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT89

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
BSS192PL6327HTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
BSS192PL6327HTSA1 技術參數
  • BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 190mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS192,135 功能描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:4,000 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327
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