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BSZ018NE2LSATMA1

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

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  • INFINEON

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 328695

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • BSZ018NE2LSATMA1
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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

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BSZ018NE2LSATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
BSZ018NE2LSATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ018NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ017NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ014NE2LS5IFATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ013NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSY79 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1mA，1V 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BSZ034N04LSATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03MS G BSZ035N03MSGATMA1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1
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