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BSZ019N03LSATMA1

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  • BSZ019N03LSATMA1
    BSZ019N03LSATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • BSZ019N03LSATMA1
    BSZ019N03LSATMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • BSZ019N03LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSZ019N03LSATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • BSZ019N03LSATMA1
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

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    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業執照

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  • BSZ019N03LSATMA1
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 8-PowerTDFN

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  • 質量保真,價格實惠,假一罰十

  • BSZ019N03LSATMA1
    BSZ019N03LSATMA1

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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區華強廣場二樓Q2B046

  • 20000

  • INFINEON

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  • BSZ019N03LSATMA1
    BSZ019N03LSATMA1

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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

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  • 主營優勢

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
BSZ019N03LSATMA1 技術參數
  • BSZ019N03LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta). 40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2800pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ018NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),40A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2500pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ018NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 12V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ018NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),40A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2800pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ018NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2800pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1
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