欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第4787頁 >

CSD201610

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD201610 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • HOFFMAN ENCLOSURES
  • 功能描述
  • WALL-MOUNT TYPE 4/12 ENCLOSURE;20.00X16.00X10.00;STEEL;GRAY
  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type
CSD201610 技術參數
  • CSD19538Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP(3x3.15) 標準包裝:1 CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP(3x3.15) 標準包裝:1 CSD19538Q2T 功能描述:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T CSD23285F5 CSD23285F5T CSD23381F4 CSD23381F4T
配單專家

在采購CSD201610進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買CSD201610產品風險,建議您在購買CSD201610相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的CSD201610信息由會員自行提供,CSD201610內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 莆田市| 攀枝花市| 墨竹工卡县| 金平| 琼中| 双鸭山市| 安吉县| 南岸区| 济源市| 凭祥市| 南江县| 开远市| 江孜县| 永善县| 壶关县| 砚山县| 平舆县| 普兰县| 克什克腾旗| 布尔津县| 井研县| 石楼县| 洱源县| 临江市| 北碚区| 沐川县| 仁寿县| 湖南省| 尉犁县| 安达市| 新蔡县| 东光县| 固安县| 洛隆县| 沙田区| 思南县| 永修县| 正镶白旗| 涿鹿县| 登封市| 龙海市|