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EPC200-CSP5

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EPC200-CSP5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EPC200-CSP5 技術參數

EPC2007C 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2007 功能描述:TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:205pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標準包裝:1 EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標準包裝:1 EPC1PI8N 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2015C EPC2015CENGR EPC2016 EPC2016C EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR