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EPC2007

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2007
    EPC2007

    EPC2007

  • 深圳市煌盛達科技有限公司
    深圳市煌盛達科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13823538694

    地址:平湖華南城華利嘉

    資質:營業執照

  • 12000

  • EFFICIENT POWER CONVERSIO

  • 原廠包裝

  • 20+

  • -
  • 現貨,期貨,原裝正品,誠信交易

  • EPC2007C
    EPC2007C

    EPC2007C

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 138861

  • EPC

  • LGA

  • 20

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • EPC2007C
    EPC2007C

    EPC2007C

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2007
    EPC2007

    EPC2007

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 35000

  • EPC

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
EPC2007 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS 100V 30MO BUMPED DIE
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • eGaN®
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
EPC2007 技術參數
  • EPC2001C 功能描述:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面(11 焊條) 標準包裝:1 EPC2001 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面(11 焊條) 標準包裝:1 EPC1PI8N 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC1PI8 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC1PC8 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz RoHS:否 制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2015 EPC2015C EPC2015CENGR EPC2016 EPC2016C EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG
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