欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STL180N4LLF6

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " STL180N4LLF6 " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STL180N4LLF6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STL180N4LLF6 技術參數
  • STL17N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta),10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):374 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):816pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL17N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1250pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):395 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):718pF @ 100V 功率 - 最大值:56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):355 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):704pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL200N45LF7 STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2
配單專家

在采購STL180N4LLF6進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買STL180N4LLF6產品風險,建議您在購買STL180N4LLF6相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的STL180N4LLF6信息由會員自行提供,STL180N4LLF6內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 高清| 遂昌县| 鹰潭市| 沽源县| 常德市| 天津市| 松溪县| 南丰县| 岳池县| 台南县| 延川县| 镇坪县| 义乌市| 肥东县| 平遥县| 南康市| 察雅县| 农安县| 报价| 宣恩县| 武邑县| 潼南县| 察哈| 宣恩县| 兴化市| 什邡市| 泰顺县| 永城市| 东莞市| 黔西县| 鄂温| 将乐县| 巫山县| 聊城市| 抚州市| 黎川县| 九寨沟县| 清镇市| 老河口市| 凤凰县| 枝江市|