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參數資料
| 型號： | SS9012 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor（1W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation）(PNP硅外延晶體管(適用于1W輸出的等級B推拉式便攜收音放大器)) |
| 中文描述： | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | SS9012 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
S
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Ratings
-40
-20
-5
-500
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -500mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -10mA
Min.
-40
-20
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
202
DC Current Gain
64
40
120
90
-0.18
-0.95
-0.67
-0.6
-1.2
-0.7
V
V
V
-0.6
D
E
F
G
H
64 ~ 91
78 ~ 112
96 ~ 135
112 ~ 166
144 ~ 202
1. Emitter 2. Base 3. Collector
SS9012
1W Output Amplifier of Potable Radios in
Class B Push-pull Operation.
High total power dissipation. (P
T
=625mW)
High Collector Current. (I
C
= -500mA)
Complementary to SS9013
Excellent h
FE
linearity.
TO-92
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS9013 | NPN epitaxial silicon transisitor |
| SS9014 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise)(NPN硅外延晶體管(適用于低電平、低噪聲、前置放大器)) |
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| SS9016 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.)(NPN硅外延晶體管（適用于AM轉換器、低噪聲AM/FM 放大器）) |
| SS9018 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner)(NPN硅外延晶體管（適用于AM/FM 放大器、FM/VHF調諧器的本機震蕩器）) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SS9012GBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/40V/0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9012GIUTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9012GTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/40V/0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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