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參數資料
| 型號： | U6264AS1A07 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | U6264AS1A07 |
3
November 01, 2001
U6264ASA07
Electrical Characteristics
Symbol
Conditions
Min.
Max.
Unit
Supply Current - Operating Mode
Supply Current - Standby Mode
(TTL level)
I
CC(OP)
I
CC(SB)1
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
V
CC
V
E1
= V
E2
or V
E2
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 70 ns
= 5.5 V
= 2.2 V
= 0.8 V
55
3
mA
mA
Output High Voltage
TTL compatible
CMOS compatible
Output Low Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
= 4.5 V
= -1.0 mA
= 4.5 V
= 3.2 mA
2.4
0.85
*
V
CC
-
-
-
0.4
V
V
V
Output High Current
Output Low Current
I
OH
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 4.5 V
= 2.4 V
= 4.5 V
= 0.4 V
-
3.2
-1
-
mA
mA
Supply Current - Standby Mode
(CMOS level)
Supply Current - Data Retention Mode
I
CC(SB)
I
CC(DR)
V
CC
V
E1
= V
E2
or V
E2
V
CC(DR)
V
E1
= V
E2
or V
E2
= 5.5 V
= V
CC
-
0.2
V
= 0.2 V
= 3 V
= V
CC(DR)
- 0.2 V
= 0.2 V
30
10
μ
A
μ
A
Input High Leakage Current
Input Low Leakage Current
I
IH
I
IL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0 V
-
-2
2
-
μ
A
μ
A
Output Leakage Current
High at Three-State Outputs
Low at Three-State Outputs
I
OHZ
I
OLZ
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0 V
-
-2
2
-
μ
A
μ
A
* -2 V at Pulse Width 10 ns
Recommended
Operating Conditions
Symbol
Conditions
Min.
Max.
Unit
Power Supply Voltage
V
CC
4.5
5.5
V
Data Retention Voltage
V
CC(DR)
2.0
-
V
Input Low Voltage*
V
IL
-0.3
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
2.2
V
CC
+0.3
V
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