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參數資料
型號: 70V659S10DR
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PQFP208
封裝: 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
文件頁數: 2/24頁
文件大?。?/td> 316K
代理商: 70V659S10DR
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
AC Test Conditions (VDDQ - 3.3V/2.5V)
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V / GND to 2.5V
2ns Max.
1.5V/1.25V
Figures 1 and 2
4869 tbl 11
1.5V/1.25
50
50
4869 drw 03
10pF
(Tester)
DATAOUT
,
4869 drw 04
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
,
833
5pF*
770
2.5V
DATAOUT
,
-1
1
2
3
4
5
6
7
20.5
30
50
80
100
200
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
Capacitance (pF)
tAA
(Typical, ns)
4869 drw 05
,
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70V659S12BC 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 256-Pin CABGA Tray 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 128KX36 12NS 256BGA - Rail/Tube 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM
70V659S12BC8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 256-Pin CABGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 4.5MBIT 128KX36 12NS 256BGA - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM
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70V659S12BCI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 128Kx36 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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