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參數資料
| 型號： | 71V3577YS80PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數： | 5/22頁 |
| 文件大小： | 621K |
| 代理商： | 71V3577YS80PF |
6.42
13
IDT71V3577YS_79YS, IDT71V3577YSA_79YSA, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
O1
(Ax)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Ax.
O1
(Ay)
represents
the
first
output
from
the
external
addr
ess
Ay;
O2
(Ay)
represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
2.
ZZ
input
is
LOW
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
Timing Waveform of Flow-Through Read Cycle (1,2)
tC
H
Z
tS
A
tS
C
tH
S
G
W
,
B
W
E
,
B
W
x
tS
W
tC
L
tS
A
V
tH
W
tH
A
V
C
L
K
A
D
S
P
A
D
S
C
(1
)
A
D
R
E
S
tC
Y
C
tC
H
tH
A
tH
C
tO
E
tO
H
Z
O
E
tC
D
tO
L
Z
O
1
(A
x
)
D
A
T
A
O
U
T
tC
D
C
O
1
(A
y
)
O
2
(A
y
)
O
2
(A
y
)
A
D
V
C
E
,
C
S
1
(N
o
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3
)
F
lo
w
-t
h
ro
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R
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B
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F
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O
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t
D
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d
A
x
A
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1
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4
(A
y
)
O
3
(A
y
)
(B
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6
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V
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H
s
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s
p
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n
d
s
b
u
rs
t
,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 7P6FLV221C15 | 3M X 16 FLASH 3V PROM CARD, 150 ns, XMA68 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 71V3578S133PFG8 | 功能描述:靜態隨機存取存儲器 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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