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APTGLQ300SK120

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGLQ300SK120G
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
19104
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

APTGLQ300SK120
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
S108X62-5L
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APTGLQ300SK120G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

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您是不是要找： APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G

APTGLQ300SK120 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APTGLQ300SK120 技術(shù)參數(shù)

APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:18.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:* 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G