- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48369 > APT35GT120JU3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APT35GT120JU3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 609K |
| 代理商： | APT35GT120JU3 |
APT35GT120JU3
A
PT
35G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 35A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 3mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2530
Coes
Output Capacitance
132
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
115
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
85
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
W
62
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
5.8
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 35A
RG = 27
W
4.6
mJ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4018BNR-BUTT | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR-GULLWING | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-GULLWING | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-BUTT | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT35M42BFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
| APT35M42DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT35M80AFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
| APT35M80DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT36GA60B | 功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。