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參數資料
| 型號： | APT35GT120JU3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 609K |
| 代理商： | APT35GT120JU3 |
APT35GT120JU3
A
PT
35G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 7
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
01
23
4
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
10
20
30
40
50
60
70
0
123
4
VCE (V)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
2
4
6
8
10
12
14
10
20
30
40
50
60
70
80
IC (A)
E
(m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 27
TJ = 125°C
Eon
Eoff
2
3
4
5
6
7
8
10
15 20
25
30 35
40
45 50 55
Gate Resistance (ohms)
E
(m
J
)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 35A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=27
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
er
m
al
Im
pe
da
nc
e
(°
C
/W
)
IGBT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT4018BNR-BUTT | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR-GULLWING | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-GULLWING | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-BUTT | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT35M42BFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 350V V(BR)DSS | 95A I(D) |
| APT35M42DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
| APT35M80AFN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 350V V(BR)DSS | 58A I(D) |
| APT35M80DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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