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參數資料
| 型號： | APT35GT120JU3 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 7/7頁 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | APT35GT120JU3 |
APT35GT120JU3
A
PT
35G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
7- 7
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
ISOTOP is a Registered Trademark of SGS Thomson
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Emitter
Gate
Collector
Anode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| APT4016BNR-GULLWING | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4016BNR-BUTT | 31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| APT4018BNR | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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