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參數資料

APT35GT120JU3

35G

120J

3–

il,

2004

APT website – http://www.advancedpower.com

5- 7

Typical Diode Performance Curve

相關PDF資料	PDF描述
APT4018BNR-BUTT	29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4018BNR-GULLWING	29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4016BNR-GULLWING	31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4016BNR-BUTT	31 A, 400 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4018BNR	29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD

相關代理商/技術參數	參數描述
APT35M42BFN	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 350V V(BR)DSS \| 95A I(D)
APT35M42DN	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP
APT35M80AFN	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 350V V(BR)DSS \| 58A I(D)
APT35M80DN	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| CHIP
APT36GA60B	功能描述:IGBT 600V 65A 290W TO-247 RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

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