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參數資料
| 型號： | BD441 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BD441 |
BD439/BD440
BD441/BD442
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The BD439 and BD441 are silicon epitaxial-base
NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic
package, intented for use in power linear and
switching applications.
The complementary PNP types are BD440, and
BD442 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
NPN
PNP
BD439
BD440
60
60
60
BD441
BD442
80
80
80
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
≤
10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤ 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
5
4
7
1
36
-65 to 150
150
3
21
SOT-32
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD442 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD440 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD533FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD534FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD537 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD441G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD441STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD442 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD442G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD442S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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