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CSD87334Q3D

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批號
價格
說明
操作

CSD87334Q3D
深圳市深科創科技有限公司
深圳市深科創科技有限公司
聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生
電話：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票
7500
TI/德州儀器
QFN
2020+
-
全新原裝現貨渠道優勢庫存假一罰十

CSD87334Q3DT
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
4059
Texas Instruments
VSON-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CSD87334Q3D
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
3528
XILINX
new
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

CSD87334Q3D
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
50000
TI
VSON-CLIP8
15+
-
全新原裝現貨

CSD87334Q3DT
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

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CSD87334Q3D 技術參數

CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-WSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT