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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGA25N120ANTD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 867K |
| 代理商： | FGA25N120ANTD |
6
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 13. Switching Loss vs. Collector Current
Figure 14. Gate Charge Characteristics
Figure 15. SOA Characteristics
Figure 16. Turn-Off SOA
Figure 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
10
20
30
40
50
0.1
1
10
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 10
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
Eon
Eoff
S
Collector Current, I
C
[A]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
600V
400V
Common Emitter
R
L
= 24
T
C
= 25
°
C
Vcc = 200V
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 15V, T
C
= 125
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
Ic MAX (Pulsed)
Ic MAX (Continuous)
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
°
C
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.05
0.5
0.2
0.02
0.01
single pulse
T
a
e
R
ectangular Pulse D
uration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
Zthjc + T
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120ANTD_F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120ANTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA25N120ANTDTU_F109 | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA25N120ANTDTUX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N) |
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