欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FGA25N120ANTD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT Trench IGBT
中文描述: 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數: 7/9頁
文件大?。?/td> 867K
代理商: FGA25N120ANTD
7
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 18. Forward Characteristics
Figure 19. Reverse Recovery Current
Figure 20. Stored Charge
Figure 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
100
200
300
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相關PDF資料
PDF描述
FGA25N120AND IGBT
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
相關代理商/技術參數
參數描述
FGA25N120ANTD_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTD_F109 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120ANTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA25N120ANTDTU_F109 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA25N120ANTDTUX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N)
主站蜘蛛池模板: 彩票| 北京市| 淳安县| 元阳县| 安国市| 潜江市| 小金县| 全州县| 苏尼特左旗| 广宗县| 白河县| 鲁山县| 洛川县| 玉山县| 甘德县| 自治县| 茶陵县| 乌拉特前旗| 应城市| 独山县| 万全县| 梧州市| 乐山市| 娱乐| 亳州市| 鹤峰县| 穆棱市| 昌图县| 江山市| 濮阳县| 安远县| 广饶县| 新安县| 青冈县| 基隆市| 惠水县| 建湖县| 拉孜县| 闽清县| 平南县| 澎湖县|