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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGA25N120ANTD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 867K |
| 代理商： | FGA25N120ANTD |
7
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 18. Forward Characteristics
Figure 19. Reverse Recovery Current
Figure 20. Stored Charge
Figure 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
100
200
300
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120ANTD_F109 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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| FGA25N120ANTDTU_F109 | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA25N120ANTDTUX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 1.2KV 50A TO-3P(N) |
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