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參數(shù)資料
| 型號： | FMM5826X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | Ka波段單片功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | FMM5826X |
10
Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
■
Chip Outline and Bonding Pad Locations (Dimension in Micro-Meters)
0
0
1215
1110
2805
0
1215
1110
135
910
VDD1
1680
VDD2
2200
VDD3
2700
600
0
2805
135
910
1680
2200
2700
600
695
695
140
140
Chip Size : 2805
Chip Thickness : 60
Bonding Pad Size : 160um x 80um(
RF
,
VGG
), 80um x 80um (
VDD
)
±
30um x 1215
±
20um
±
30um
VGG
RF-IN
RF-OUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5829X | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FMM60-02TF | 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FMM65-015P | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FMM6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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