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參數資料
型號: FMM5826X
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: Ka-Band Power Amplifier MMIC
中文描述: Ka波段單片功率放大器
文件頁數: 5/13頁
文件大小: 417K
代理商: FMM5826X
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@VDD=6V, f=30GHz
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Input Power [dBm]
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Input Power [dBm]
O
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D
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O
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Input Power [dBm]
O
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D
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450mA
550mA
Output Power, Drain Current
vs. Input Power by Drain Current
Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
Output Power, Drain Current
vs. Input Power by Drain Current
Output Power, Drain Current
vs. Input Power by Drain Current
Output Power, Drain Current
vs. Input Power by Drain Current
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PDF描述
FMM5829X K-Band Power Amplifier MMIC
FMM6G30US60 Compact & Complex Module
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
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相關代理商/技術參數
參數描述
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FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G20US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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