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參數資料
| 型號： | FMM5826X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | Ka波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 2/13頁 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | FMM5826X |
2
Output Power vs. Frequency
Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
Output Power, Drain Current vs. Input Power
Power Added Efficiency vs. Frequency
@VDD=6V, IDD(DC)=350mA
14
16
18
20
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28
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31
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Frequency [GHz]
O
Pin=-4dBm
0dBm
4dBm
8dBm
P1dB
@VDD=6V, IDD(DC)=350mA
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
Input Power [dBm]
O
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
D
27GHz
28GHz
29GHz
30GHz
@VDD=6V, IDD(DC)=350mA
0
5
10
15
20
25
30
25
26
27
28
29
30
31
32
Frequency [GHz]
P
Pin=-4dBm
0dBm
4dBm
8dBm
P1dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5829X | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMM65-015P | 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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