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參數資料
| 型號： | FMM5826X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Ka-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | Ka波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 8/13頁 |
| 文件大小： | 417K |
| 代理商： | FMM5826X |
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Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5826X
■
S-Parameter
@VDD=6V, IDD=350mA
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Frequency [GHz]
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S11
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@VDD=6V, IDD=350mA
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Frequency [GHz]
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM5829X | K-Band Power Amplifier MMIC |
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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