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參數資料
| 型號： | FMM5829X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | K-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | K波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | FMM5829X |
10
Δ
Tch vs. Drain Voltage
(Reference)
IDD(DC)=800mA
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
MTTF vs. Tch
VDD [V]
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
1.E+11
1.E+12
50
100
150
200
250
Tch [
o
C ]
M
Ea=1.56eV
0
10
20
30
40
50
60
70
80
4
5
6
7
8
9
Δ
T
℃
]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMM6G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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