欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FMM5829X
廠商: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述: K-Band Power Amplifier MMIC
中文描述: K波段單片功率放大器
文件頁數: 7/14頁
文件大小: 264K
代理商: FMM5829X
7
IMD vs. Output Power
by Drain Current
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
IMD vs. Output Power
by Drain Current
IMD vs. Output Power
by Drain Current
VDD=6V, f=21GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
600mA
800mA
1000mA
IM5
IM3
VDD=6V, f=23GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
600mA
800mA
1000mA
IM5
IM3
VDD=6V, f=25GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
600mA
800mA
1000mA
IM5
IM3
VDD=6V, f=27GHz
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
16
18
20
22
24
26
28
30
32
2-tone Total Pout [dBm]
I
600mA
800mA
1000mA
IM5
IM3
IMD vs. Output Power
by Drain Current
相關PDF資料
PDF描述
FMM6G30US60 Compact & Complex Module
FMM6G50US60 Compact & Complex Module
FMM7G30US60N Compact & Complex Module
FMMD2838 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
FMMD6100 SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR
相關代理商/技術參數
參數描述
FMM60-02TF 功能描述:MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 33V 33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FMM65-015P 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FMM6G20US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G20US60S 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FMM6G30US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
主站蜘蛛池模板: 新田县| 锦屏县| 卢氏县| 广东省| 花莲县| 金乡县| 洪湖市| 安岳县| 龙里县| 双城市| 科尔| 博爱县| 公主岭市| 高雄县| 吉首市| 石柱| 乐安县| 阿坝县| 米泉市| 洞头县| 乐业县| 资源县| 台北市| 柳林县| 桐城市| 三门峡市| 仲巴县| 江安县| 保山市| 福泉市| 阆中市| 秭归县| 永安市| 营口市| 西城区| 渝北区| 万年县| 赤峰市| 星子县| 乌兰察布市| 两当县|