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參數資料
| 型號： | FMM5829X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | K-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | K波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | FMM5829X |
11
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
■
Chip Outline and Bonding Pad Locations (Dimension in Micro-Meters)
0
4025
240
VGG1
1405
0
0
120
2235
2115
2100
1290
2235
2040
120
3430
VDD6
0
4025
120
3905
RF-IN
RF-OUT
(VGG3)
1170
VDD1 VDD2
450
VDD3
1840
VDD5
3430
Chip Size : 4025
Chip Thickness : 60
±
Bonding Pad Size :
RF-Pad : 120um x 80um
VGG-Pad : 80um x 80um
VDD-Pad : 100um x 100um
±
30um x 2235
20um
±
30um
Ｎｏｔｅ
: Gate voltage is required from either or both bonding pad( VGG1 or/and VGG2~6).
195
800
1840
VDD4
3905
195
(VGG4)
(VGG5)
2990
(VGG6)
1170
2990
830
(VGG2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
| FMMD2838 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FMMD6100 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMM65-015P | 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 150V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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| FMM6G20US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM6G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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