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參數資料
| 型號： | FMM5829X |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | K-Band Power Amplifier MMIC |
| 中文描述： | K波段單片功率放大器 |
| 文件頁數： | 4/14頁 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | FMM5829X |
4
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
K-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=23GHz
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=25GHz
IDD(DC)=800mA, f=21GHz
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Input Power [dBm]
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Input Power [dBm]
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Drain Current
Pout
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Input Power [dBm]
O
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800
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D
4V
5V
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7V
8V
Drain Current
Pout
Output Power, Drain Current vs.
Input Power by Drain Voltage
IDD(DC)=800mA, f=27GHz
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Input Power [dBm]
O
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5V
6V
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Drain Current
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM6G30US60 | Compact & Complex Module |
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
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| FMMD6100 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FMM6G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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