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參數資料
型號: HY29F080G-12
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, SOP-44
文件頁數: 30/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G-12
30
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
ST
V
CC
RESET#
Data
CE#
WE#
OE#
A[9]
A[6]
A[1]
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A[19:17]
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ID
V
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X
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ST
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VLHT
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VLHT
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OESP
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WPP1
t
VLHT
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ST
Group Protect Cycle
Protect Verify Cycle
Figure 20. Sector Group Protect Timings
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080T90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-12 x8 Flash EEPROM
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參數描述
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