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參數(shù)資料
型號(hào): HY29F080G-12
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, SOP-44
文件頁(yè)數(shù): 32/38頁(yè)
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G-12
32
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 5V
t
RSP
t
VIDR
0 or 5V
Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F080T90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-12 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-70 x8 Flash EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F080G-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-55E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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